Ķīna sāk vietējo DRAM mikroshēmu ražošanu



China's semiconductor industry is seeking independence in every sector of its industry, with an emphasis of homemade products for domestic use, especially government facilities, where usage of homegrown products is most desirable. According to the report of China Securities Journal, Chinese firm has started production of DRAM memory.

Uzņēmums ar nosaukumu ChangXin Memory Technology, kas tika dibināts 2016. gadā, lai veicinātu silīcija ražošanu vietējā tirgū, pirmdien sāka ražot DRAM atmiņu, kuras mērķis ir tieši aizstāt pašreizējo ārvalstu atmiņas piegādi no tādiem uzņēmumiem kā Micron, SK Hynix un Samsung. Tā kā šī DRAM mikroshēma tiek būvēta, izmantojot 18 nm tehnoloģiju, kuru ChangXin sauc par “10-nanometru klases” mezglu, tā neatpaliek no konkurentiem, kurus tā mēģina aizstāt. Micron, Samsung un SK Hynix DRAM mikroshēmu ražošanai izmanto 12, 14 un 16 nm mezglus, tāpēc ķīniešu centieni līdz šim ir bijuši ļoti labi. Uzņēmums sola saražot apmēram 120 000 vafeļu mēnesī un plāno piegādāt pirmās mikroshēmas līdz šī gada beigām.
Source: TechNode