SK Hynix paziņo par saviem HBM2E atmiņas produktiem, 460 GB / s un 16 GB uz kaudzīti



SK Hynix Inc. announced today that it has developed HBM2E DRAM product with the industry's highest bandwidth. The new HBM2E boasts approximately 50% higher bandwidth and 100% additional capacity compared to the previous HBM2. SK Hynix's HBM2E supports over 460 GB (Gigabyte) per second bandwidth based on the 3.6 Gbps (gigabits-per-second) speed performance per pin with 1,024 data I/Os (Inputs/Outputs). Through utilization of the TSV (Through Silicon Via) technology, a maximum of eight 16-gigabit chips are vertically stacked, forming a single, dense package of 16 GB data capacity.

SK Hynix HBM2E ir optimāls atmiņas risinājums ceturtajam industriālajam laikmetam, atbalstot augstākās klases GPU, superdatorus, mašīnu apguvi un mākslīgā intelekta sistēmas, kurām nepieciešams maksimālais atmiņas veiktspējas līmenis. Atšķirībā no plaša patēriņa DRAM izstrādājumiem, kas uzņem moduļu paketes un ir uzstādīti uz sistēmas dēļiem, HBM mikroshēma ir cieši savienota ar procesoriem, piemēram, GPU un loģikas mikroshēmām, ir attālināta tikai ar dažiem µm vienībām, kas ļauj vēl ātrāk pārsūtīt datus. 'SK Hynix has established its technological leadership since its world's first HBM release in 2013,' said Jun-Hyun Chun, Head of HBM Business Strategy. 'SK Hynix will begin mass production in 2020, when the HBM2E market is expected to open up, and continue to strengthen its leadership in the premium DRAM market.'