TSMC sākas 3 nm Fab konstrukcija



TSMC has been very aggressive with its approach to silicon manufacturing, with more investments into its R&D that now match or beat the capex investments of Intel. That indicates a strong demand for new technologies and TSMC's strong will not drop out of the never-ending race for more performance and smaller node sizes.

Saskaņā ar DigiTimes avotiem TSMC ir ieguvusi pat 30 hektārus zemes Taivānas dienvidu zinātnes parkā, lai sāktu savu ēku būvniecību, kurām 2023. gadā vajadzētu sākt liela apjoma ražošanas 3 nm mezglu. Paredzēts, ka ražošanas telpas sāks darboties 2020. gadā, kad TSMC veidos pamatu jaunajam ražotnei. Paredzams, ka 3 nm pusvadītāju mezgls būs TSMC trešais mēģinājums veikt EUV litogrāfiju uzreiz pēc 7 nm + un 5 nm mezgliem, kuru pamatā ir arī EUV tehnoloģija.


Source: DigiTimes